仕様

• シリーズ
  Z-FET™
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• フェット機能
  Silicon Carbide (SiC)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  1200V (1.2kV)
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds オン (最大) @ id、vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (最大) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  1025nC @ 20V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  11700pF @ 600V
• パワー - 最大
  1660W
• 動作温度
  150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Chassis Mount
• パッケージ/ケース
  Module, Screw Terminals
• サプライヤーデバイスパッケージ
  Module